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J-GLOBAL ID：201802251655323481   整理番号：18A0442568

高帯域幅メモリ(HBM)のための埋込みマルチチップ相互接続橋(EMIB)技術を用いた不均一統合の信号と電力の完全性(SI/PI)解析【Powered by NICT】

Signal and power integrity (SI/PI) analysis of heterogeneous integration using embedded multi-die interconnect bridge (EMIB) technology for high bandwidth memory (HBM)

著者 (8件)： Cho Kyungjun (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Kim Youngwoo (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Lee Hyunsuk (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Park Gapyeol (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Kim Subin (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Son Kyungjune (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Choi Sumin (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea) ,  Kim Joungho (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDAPS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高帯域幅メモリ(HBM)を有するシリコンインターポーザはterabyte/s帯域幅グラフィックカードモジュールを達成するために開発した。しかし,シリコンインターポーザはまだ製造と製造コストの複雑さに関する重要な欠点を持っている。特に,高価なシリコン貫通ビア(TSV)プロセスはコスト低減のため深刻な問題となっている。埋込みマルチダイ相互接続橋(EMIB)と呼ばれる革新的なパッケージ基板をシリコンインターポーザの製造プロセスの製造コストと複雑さを低減するためのメモリ産業のための代替解決策となっている。信号とパワーインテグリティ(SI/PI)設計とシリコンベースEMIBパッケージ基板の解析が不可欠となっている,HBM界面への影響主にためであろう。EMIBの優れたSI設計は製造コストを考慮した提案し解析した。さらに,EMIBによる階層的PDNインピーダンスに及ぼす影響を論じ,PI改善のためのさらなる方向を提案した。EMIBパッケージ基板の提案された設計と解析は,次世代HBM界面のためのメモリ産業で広く採用されていることが期待される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インピーダンス ,  製造原価 ,  界面 ,  *相互接続 ,  原価低減 ,  *記憶装置 ,  *電力 ,  *帯域幅 ,  *完全性 ,  生産工程
準シソーラス用語： パワーインテグリティ ,  パッケージ基板 ,  シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (11件)： 高帯域幅 ,  HBM ,  埋込み ,  マルチ ,  相互接続 ,  不均一 ,  統合 ,  完全性 ,  Si ,  pI ,  解析