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J-GLOBAL ID：201802251743964505   整理番号：18A0072343

Hf_xZr_1 xO_y薄膜を用いた(NH_4)_2S不動態化Ge MOSコンデンサの総線量効果とバイアス不安定性【Powered by NICT】

Total Dose Effects and Bias Instabilities of (NH₄)₂S Passivated Ge MOS Capacitors With Hf_xZr_1-xO_y Thin Films

著者 (11件)： Mu Yifei (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.) ,  Fang Yuxiao (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.) ,  Zhao Ce Zhou (Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Zhao Chun (Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Lu Qifeng (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.) ,  Qi Yanfei (Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Yi Ruowei (Department of Chemistry, University of Liverpool, Liverpool, U.K.) ,  Yang Li (Department of Chemistry, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Mitrovic Ivona Z. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.) ,  Taylor Stephen (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.) ,  Chalker Paul R. (Center for Materials and Structures, School of Engineering, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 12  ページ： 2913-2921  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hf_xZr_1 xO_y(0.43<x<1)ゲート誘電体を有するGe MOSキャパシタ上のバイアスされた照射の影響を調べた。これらのデバイスは,0.5または 0.5Vゲートバイアス662KeVのCs~137γ線放射源により照射した。照射曝露前に,Hf_xZr_1 xO_y膜の漏れ挙動とバイアス不安定性についても検討した。ゲート漏れ電流密度はゲート酸化物中のZr組成の増加と共に増加した。添加では,正バイアス(PB)でZr含有誘電体はHfO_2のそれよりも酸化物負捕獲電荷を示し,これはHf_xZr_1 xO_yにおける酸素空格子点濃度は,Zrの添加によって増加したことを示唆した。バイアスは結果よりもより大きなフラットバンド電圧シフト(ΔV_FB)は正バイアス照射下で抽出した。結果は放射線誘起界面トラップ(ΔN_it)はHfO_2薄膜におけるΔV_FBの支配的な因子であるが,PB下でZr含有誘電体の放射線応答は主に酸化物トラップに起因することを示した。負バイアス照射下で,ΔV_FBは正味の酸化物トラップ電荷の併用効果とGe/high K界面におけるGeダングリングボンドの不動態化に起因した。さらに,バイアス誘起および放射線誘起両方の電荷トラッピングは,各用量レベルでHf_xZr_1 xO_yの放射線応答に重要な影響を及ぼす。Hf_xZr_1 xO_yは先進相補型金属-酸化物-半導体技術のための有望なゲート誘電体として同定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  誘電体 ,  *ジルコニウム ,  *ゲルマニウム ,  *不安定性 ,  ゲート絶縁膜 ,  *バイアス ,  ダングリングボンド ,  *不動態化 ,  界面 ,  *コンデンサ
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  界面トラップ ,  フラットバンド電圧 ,  ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  不動態化 ,  Ge ,  MOSコンデンサ ,  バイアス ,  不安定性