18%以上の変換効率を持つ完全にバッファ層フリーのCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池

ISHIZUKA Shogo; NISHINAGA Jiro; KOIDA Takashi; SHIBATA Hajime

文献

J-GLOBAL ID：201802251750294654 整理番号：18A1550128

18%以上の変換効率を持つ完全にバッファ層フリーのCu(In,Ga)Se₂太陽電池

An over 18%-efficient completely buffer-free Cu(In,Ga)Se₂ solar cell

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資料名：
巻： 11 号： 7 ページ： 075502.1-075502.4 発行年： 2018年07月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本稿では,完全にバッファ層フリーのCu(In,Ga)Se₂(CIGS)太陽電池において実証された18.4%の光起電力効率について報告する。SiドープのCIGS薄膜を光吸収層として用い,導電性BドープZnO(BZO)の前面電極層をCIGS層上に直接堆積した。熱-光浸漬処理による準安定アクセプタ活性化を行い,効率を最大化した。ここで示した結果は,従来のCIGS太陽電池で使用されるバッファ層の役割に関する議論のための参考資料および単純化構造を持つCIGSデバイスの基準として役立つことが期待される。(翻訳著者抄録)

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太陽電池

引用文献 (30件)：

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T. Feurer, P. Reinhard, E. Avancini, B. Bissig, J. Löckinger, P. Fuchs, R. Carron, T. P. Weiss, J. Perrenoud, S. Stutterheim, S. Buecheler, and A. N. Tiwari, Prog. Photovoltaics 25, 645 (2017).
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