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J-GLOBAL ID：201802251769953460   整理番号：18A1805812

ゲルマニウム金属-酸化物-半導体デバイス上のマイクロ波アニール酸化の統合【JST・京大機械翻訳】

Integration of microwave-annealed oxidation on germanium metal-oxide-semiconductor devices

著者 (9件)： Hsu Chung-Chun (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Chi Wei-Chun (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Tsai Yi-He (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Tsai Ming-Li (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Wang Shin-Yuan (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Chou Chen-Han (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Zhang Jun Lin (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Luo Guang-Li (National Nano Device Laboratories, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Chien Chao-Hsin (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 5  ページ： 051204-051204-10  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,かなり低い温度(<400°C)で表面不動態化を通してGe上に高品質ゲート誘電体を形成するためにマイクロ波熱酸化を用いる方法を提示した。GeO_x層の形成をX線光電子分光法により確認した。バルクトラップ密度と界面トラップ密度(D_it)を減少させるために,マイクロ波熱酸化を,原子層蒸着によるAl_2O_3の堆積後のポスト堆積マイクロ波熱酸化に用いた。静電容量測定における小さい周波数分散と中間ギャップ近くの5.9×10~11cm~-2eV-1の低いD_it値は望ましい不動態化効果を確認し,Ge表面上のダングリングボンドの形成を緩和するのに有利であった。容量の小さなヒステリシスも観測され,バルク誘電体が高品質であることを示唆した。これらの特性に基づいて,マイクロ波活性化GeO_xは,積極的にスケールされたGe関連金属酸化物半導体デバイスのための有望な不動態化層材料である。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼なまし ,  *マイクロ波 ,  ヒステリシス ,  誘電体 ,  *半導体素子 ,  *ゲルマニウム ,  熱酸化 ,  不動態化 ,  *酸化物 ,  ゲート絶縁膜 ,  ダングリングボンド ,  *酸化
準シソーラス用語： ミッドギャップ ,  界面トラップ ,  トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲルマニウム ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  マイクロ波 ,  アニール ,  酸化 ,  統合