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J-GLOBAL ID：201802251911921072   整理番号：18A1035044

シリコン中のAl-N等電子トラップ形成に及ぼす注入後アニーリングの影響:Al-N対形成と欠陥回復機構【JST・京大機械翻訳】

Effect of post-implantation annealing on Al-N isoelectronic trap formation in silicon: Al-N pair formation and defect recovery mechanisms

著者 (3件)： Mori Takahiro (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Morita Yukinori (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Matsukawa Takashi (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 5  ページ： 055024-055024-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中のAl-N等電子トラップ(IET)形成に及ぼすポスト注入アニーリング(PIA)の効果を実験的に調べ,Al-N IET形成と注入誘起欠陥回復機構を議論した。光ルミネセンス研究を行い,自己格子間クラスタと付随する空格子点がイオン注入過程で発生することを示した。AlとN原子は空孔サイトに移動し,PIA過程で安定なAl-N対を形成すると考えられる。さらに,PIAプロセスはそれらの原子配置を変換しながら自己格子間クラスタを回復させた。Al-N対の形成/解離に対する臨界温度は450°Cであることが分かり,Al-N IET技術を用いた素子のプロセス集積を記述した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  光ルミネセンス ,  臨界温度 ,  クラスタ ,  イオン注入 ,  *ケイ素 ,  *焼なまし ,  窒素原子 ,  *等電子トラップ
準シソーラス用語： 原子配置 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  陽電子消滅  (BK16052L) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  Al ,  等電子トラップ ,  注入 ,  アニーリング ,  対形成 ,  欠陥 ,  回復