松川貴

マツカワタカシ | Matsukawa Takashi

所属機関・部署：
職名：研究グループ付
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T34207766

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (2件)：

2014 - 2017 テラヘルツ対応CMOS-FinFETを用いた低コストセキュリティ技術の確立
1997 - 1999 量子化イオン照射による半導体ナノ構造の加工と特性制御

論文 (210件)：

Md Mehdee Hasan Mahfuz, Motohiro Tomita, Shuhei Hirao, Kazuaki Katayama, Kaito Oda, Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki, Takanobu Watanabe. Designing a bileg silicon-nanowire thermoelectric generator with cavity-free structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SB. SBBF07-SBBF07
Katsuki Abe, Kaito Oda, Motohiro Tomita, Takeo Matsuki, Takashi Matsukawa, Takanobu Watanabe. 4-4 Effect of Unit-cell Arrangement on Performance of Multi-stage-planar Cavity-free Unileg Thermoelectric Generator Using Silicon Nanowires. 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). 2020
Kimihiko Kato, Tetsufumi Tanamoto, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Takashi Matsukawa, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Impact of Switching Voltage on Complementary Steep-Slope Tunnel Field Effect Transistor Circuits. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2020. 67. 9. 3876-3882
Tianzhuo Zhan, Shuaizhe Ma, Zhicheng Jin, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Motohiro Tomita, Yen-Ju Wu, Yibin Xu, Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki, et al. Effect of the Thermal Boundary Resistance in Metal/Dielectric Thermally Conductive Layers on Power Generation of Silicon Nanowire Microthermoelectric Generators. ACS Applied Materials & Interfaces. 2020. 12. 30. 34441-34450
Kimihiko Kato, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Takashi Matsukawa, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Source engineering for bilayer tunnel field-effect transistor with hetero tunnel junction: thickness and impurity concentration. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2020. 13. 7

MISC (54件)：

浅井栄大, 森貴洋, 服部淳一, 福田浩一, 遠藤和彦, 松川貴. ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション (情報センシング). 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2017. 41. 25. 21-24
森田行則, 前田辰郎, 太田裕之, 水林亘, 大内真一, 昌原明植, 松川貴, 遠藤和彦. Ge立体チャネルトランジスタのための酸素エッチング技術. 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology. 2016. 80. 49-52
大内真一, 柳永勛, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一, et al. 招待講演多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 (情報センシング). 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2016. 40. 24. 83-87
昌原明植, 遠藤和彦, 大内真一, 松川貴, 柳永〓, 右田真司, 水林亘, 森田行則, 太田裕之. 招待講演 10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 13. 77-82
鈴木恵治郎, 谷澤健, 松川貴, Cong Guangwei, Kim Sang-Hun, 須田悟史, 大野守史, 千葉正, 田所宏文, 柳原昌志, et al. C-3-75 超小型シリコン細線8×8 PILOSSスイッチ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2014. 2014. 1. 230-230

学位 (1件)：

博士(工学) (早稲田大学)

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