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J-GLOBAL ID：201802252027853391   整理番号：18A0632990

グラフェン・hBN・GaNヘテロ接合によるショットキーバリアダイオードの電流輸送特性

Current transport characteristics of graphene/hBN/GaN heterojunction Schottky barrier diode

著者 (5件)： KALITA Golap (Nagoya Inst. Tech.) ,  KOBAYASHI Mai (Nagoya Inst. Tech.) ,  SHAARIN Muhammad Dzulsyahmi (Nagoya Inst. Tech.) ,  MAHYAVANSHI Rakesh (Nagoya Inst. Tech.) ,  TANEMURA Masaki (Nagoya Inst. Tech.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19a-P6-58  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *グラフェン ,  窒化ホウ素 ,  窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  MIS構造 ,  化学蒸着 ,  転写 ,  電流 ,  六方晶窒化ホウ素
準シソーラス用語： 逆飽和電流

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  ショットキーバリアダイオード ,  輸送特性