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J-GLOBAL ID：201802252396732501   整理番号：18A0706501

14nmトリゲートCMOSにおける3D積層ダイ応用のための平面磁気コアを持つ3D-TSVベースのオン型ソレノイドインダクタを用いたディジタル制御完全集積電圧調整器【JST・京大機械翻訳】

A Digitally Controlled Fully Integrated Voltage Regulator With 3-D-TSV-Based On-Die Solenoid Inductor With a Planar Magnetic Core for 3-D-Stacked Die Applications in 14-nm Tri-Gate CMOS

著者 (8件)： Krishnamurthy Harish K. (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Weng Sheldon (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Mathew George E. (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Desai Nachiket (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Saraswat Ruchir (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Ravichandran Krishnan (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Tschanz James W. (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  De Vivek (Circuit Research Laboratory, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 53  号： 4  ページ： 1038-1048  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最大光負荷効率のためのヒステリシスとパルス周波数変調制御を特徴とする完全集積ディジタル制御バック電圧レギュレータを,14nmトリゲートCMOSにおける平面磁気コアを持つ3Dスルーシリコンビアベースオン型ソレノイドインダクタにより,111nH/mm2インダクタンス密度と80%変換効率を実証した。実証されたインダクタンス密度は,より高い光負荷効率をもたらす,同程度のオンダイ横方向またはスパイラルベースのインダクタ密度よりも20倍高い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  *ディジタル制御 ,  PFM【信号】 ,  *磁心 ,  *三次元 ,  *電圧調整器 ,  *CMOS ,  インダクタンス
準シソーラス用語： 変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (11件)： トリ ,  ゲート ,  CMOS ,  3D ,  ダイ ,  応用 ,  磁気コア ,  TSV ,  ディジタル制御 ,  集積 ,  電圧調整器