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J-GLOBAL ID：201802252416328507   整理番号：18A0973713

アンクランプ誘導スイッチングに対するウエハレベル試験法の影響【JST・京大機械翻訳】

Influences of the wafer-level testing method on unclamped inductive switching

著者 (1件)： Ring Matthew (Advanced Reliability, ON Semicondutor, South Portland, ME USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IIRW  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 産業および自動車用途で使用されるパワーMOSFETに対して,特にパルス幅変調制御装置として使用されるとき,固定誘導スイッチング安全動作領域(UIS-SOA)は,運動制御にとって重要である。誘導負荷のターンオフ後の電流は,デバイス上に大きな電流と熱負荷を置いて,アバランシェ条件でデバイスのソース/ボディダイオードを通して流れる。この負荷に対するロバスト性は,パワーMOSFETの耐久性に対するキーであり,アバランシェ(t_AV)における支持時間,アバランシェ(I_AV)における電流,およびK値として知られている耐久性評価によって記述される。UISのためのプロセスウィンドウは,アバランシェ(t_AV)における長い時間における熱的破損によって囲まれて,高電流におけるラッチアップ故障によって,寄生性バイポーラ装置が活性化して,局所的故障を引き起こすことができる短いt_AV条件であった。ウエハレベル試験におけるデバイス能力の決定は,薄い金型がR_DSon特性化に必要であることを証明し,一方,厚い金型は熱破壊に対してよりロバストであり,金型厚さはより大きなインダクタ値においてI_AV値に影響を及ぼすことを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 耐久性 ,  PWM制御 ,  電流 ,  ターンオフ ,  故障 ,  ロバスト性 ,  *スイッチング ,  運動制御 ,  耐久試験 ,  ラッチアップ ,  キャラクタリゼーション ,  インダクタンス
準シソーラス用語： 誘導性負荷 ,  安全動作領域 ,  パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘導 ,  スイッチング ,  ウエハレベル ,  試験法