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J-GLOBAL ID：201802252504847511   整理番号：18A0588585

バック増強(BE)SOI MOSFETの0温度バイアス点(ZTC)はあるか【Powered by NICT】

Is there a Zero Temperature bias point (ZTC) on Back Enhanced (BE) SOI MOSFET?

著者 (4件)： Yojo L. S. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Rangel R. C. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Sasaki K. R. A. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Martino J. A. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二種類のソース/ドレイン接触電極を用いて作製した逆増強(BE)SOI MOSFET:OhmとSchottkyに対する温度の影響を報告した。BE SOI MOSFET(特許BR102015020974 6,2015)は,ドープしていない無接合SOIトランジスタ,n型あるいはp型MOSのように働く,逆バイアス条件に依存しての一種である。トランジスタ作動同様の方法での両タイプを得るためにソース/ドレイン位置にSchottky接触にもかかわらず必須であるでは,Ohm接触の使用は,いくつかの異形を提示した利点であろう。結果はOhm性のソース/ドレイン接触を持つ素子においてのみZTC(零温度係数)バイアス条件の存在を示した。は,温度が上昇するより高い電流,ZTCの欠如が生じて,Schottky接触抵抗は減少することが観察された。この効果は実験測定とシミュレーションにより説明した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイアス ,  Ohm接触 ,  *MOSFET ,  トランジスタ ,  ドーピング ,  温度係数 ,  接合 ,  電流
準シソーラス用語： Schottky接触 ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： バック ,  増強 ,  Be ,  SOI ,  MOSFET