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J-GLOBAL ID：201802252618317682   整理番号：18A1859124

Cu基板上のCVDグラフェン成長中のSiO_x粒子形成の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanism of SiO_x particles formation during CVD graphene growth on Cu substrates

著者 (27件)： Ge Xiaoming (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Ge Xiaoming (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Ge Xiaoming (University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China) ,  Zhang Yanhui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Zhang Yanhui (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Chen Lingxiu (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Chen Lingxiu (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Chen Lingxiu (University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China) ,  Zheng Yonghui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Zheng Yonghui (University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China) ,  Chen Zhiying (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Chen Zhiying (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Liang Yijian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Liang Yijian (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Liang Yijian (University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China) ,  Hu Shike (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Hu Shike (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Hu Shike (University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China) ,  Li Jing (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Li Jing (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Li Jing (University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China) ,  Sui Yanping (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Sui Yanping (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Yu Guanghui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China) ,  Yu Guanghui (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China) ,  Jin Zhi (Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, 100029, Beijing, China) ,  Liu Xinyu (Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, 100029, Beijing, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 139  ページ： 989-998  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)によりCu基板上に成長させたグラフェンに対して,多数のナノメータ粒子がグラフェン結晶粒界に沿って分布しているか,または周囲の基板表面上に均一に分布している。粒子はグラフェンの新しい核形成中心を形成し,成長中にグラフェン膜を破壊する。粒子の起源を明らかにするために,種々の気圧で高温でグラフェンをエッチングすることによって形成過程を研究した。粒子の形成は成長中の水素と酸素の競合に密接に関係することを示した。また,粒子の主成分は透過型電子顕微鏡(TEM)におけるエネルギー分散分光法(EDS)測定によりSiO_xであることを確認した。最終的に,形成機構に基づいて,著者らは,実際のCVD調製プロセスの間,グラフェンの品質を向上させるSiO_x粒子を減少させる効率的なアプローチを提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  品質 ,  透過型電子顕微鏡 ,  核形成 ,  電子顕微鏡観察 ,  *基板 ,  結晶粒界 ,  化学蒸着 ,  高温 ,  *銅 ,  水素 ,  酸素
準シソーラス用語： 形成機構 ,  エネルギー分散分光法 ,  *一酸化ケイ素 ,  粒子形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  CVD ,  グラフェン ,  成長 ,  粒子形成