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J-GLOBAL ID：201802252808076305   整理番号：18A2234435

多接合太陽電池のためのInGaAs:Nδドープ超格子の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of InGaAs:Nδ-doped superlattices for multi-junction solar cells

著者 (5件)： Umeda Shumpei (Saitama University, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Yagi Shuhei (Saitama University, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Miyashita Naoya (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Tokyo, 158-8904, Japan) ,  Okada Yoshitaka (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Tokyo, 158-8904, Japan) ,  Yaguchi Hiroyuki (Saitama University, Saitama, 338-8570, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 1861-1864  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4接合格子整合タンデム太陽電池のサブセル材料の候補として,1eVのバンドギャップをもつInGaN:Nδドープ超格子(SL)を分子線エピタクシーにより作製した。Nδドーピングは成長中断中にN源を供給することにより行い,SL構造はNδドープ層とIn_0.06Ga_0.94Asスペーサ層の交互形成により得た。過剰N供給は格子間N取り込みと表面粗さを誘起することを明らかにした。成長条件とSL構造パラメータを調整することにより,1eVのバンドギャップをもつSLのコヒーレント成長を達成することに成功した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  コヒーレンス ,  *δドーピング ,  バンドギャップ ,  *接合 ,  MBE成長 ,  構造パラメータ ,  格子整合 ,  *超格子 ,  *タンデム太陽電池 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： 成長条件 ,  InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多接合太陽電池 ,  InGaAs ,  δドープ ,  超格子 ,  成長