研究者
J-GLOBAL ID:200901004411969707   更新日: 2021年10月23日

矢口 裕之

ヤグチ ヒロユキ | Yaguchi Hiroyuki
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://opt.eeap.saitama-u.ac.jp/
研究分野 (4件): 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (5件): 光エレクトロニクスデバイス ,  エピタキシャル成長 ,  分子線エピタキシー ,  光エレクトロニクス ,  光物性
競争的資金等の研究課題 (29件):
  • 2019 - 2022 希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開
  • 2018 - 2021 紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立
  • 2014 - 2017 希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究
  • 2013 - 2017 非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開
  • 2012 - 2015 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
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論文 (161件):
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MISC (324件):
特許 (4件):
書籍 (7件):
  • 初歩から学ぶ固体物理学
    講談社 2017 ISBN:9784061532946
  • 理工学のための線形代数
    培風館 2013 ISBN:9784563004712
  • 電気数学
    実教出版 2008 ISBN:9784407313178
  • 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
    [矢口裕之] 2007
  • 基礎物理2
    実教出版 2006 ISBN:9784407308556
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講演・口頭発表等 (224件):
  • SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC 酸化速度のモデル計算
    (SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会 2009)
  • 4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価
    (SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会 2009)
  • In-situ分光エリプソメータによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
    (SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会 2009)
  • RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles
    (8th International Conference on Nitride Semiconductors 2009)
  • Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 2009)
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学歴 (3件):
  • 1988 - 1991 東京大学 物理工学専攻
  • 1986 - 1988 東京大学 物理工学専攻
  • - 1986 東京大学 物理工学科
学位 (3件):
  • 博士(工学) (東京大学)
  • 工学修士 (東京大学)
  • 学士 (東京大学)
委員歴 (1件):
  • 応用物理学会 代議員
受賞 (5件):
  • 2021/03 - 応用物理学会 第68回応用物理学会春季講演会 Poster Award 第一原理計算を用いたGaPN 混晶のバンドテイルによる光吸収についての検討
  • 2019/03 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 2013/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 1997 - 応用物理学会 第2回応用物理学会講演奨励賞
  • 1995 - 井上研究奨励賞
所属学会 (8件):
日本光学会 ,  Materials Research Society ,  American Physical Society ,  応用物理学会 ,  Optical Society of Japan ,  Materials Research Society ,  American Physical Society ,  The Japan Society of Applied Physics
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