RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles
(8th International Conference on Nitride Semiconductors 2009)
Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 2009)
2021/03 - 応用物理学会 第68回応用物理学会春季講演会 Poster Award 第一原理計算を用いたGaPN 混晶のバンドテイルによる光吸収についての検討
2019/03 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
2013/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
1997 - 応用物理学会 第2回応用物理学会講演奨励賞
1995 - 井上研究奨励賞
所属学会 (8件):
日本光学会
, Materials Research Society
, American Physical Society
, 応用物理学会
, Optical Society of Japan
, Materials Research Society
, American Physical Society
, The Japan Society of Applied Physics