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J-GLOBAL ID：201802253540209392   整理番号：18A0845148

リチウムドープ黒リントランジスタにおける最適化輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Optimized Transport Properties in Lithium Doped Black Phosphorus Transistors

著者 (6件)： Gao Tingting (Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Li Xuefei (Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Xiong Xiong (Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Huang Mingqiang (Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Li Tiaoyang (Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Wu Yanqing (Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 5  ページ： 769-772  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低い接触抵抗を達成することは,電子およびオプトエレクトロニクス応用の両方に対する黒リン(BP)トランジスタの主要な課題の一つである。ここでは,2から0.85kΩμmへの接触抵抗を大幅に低減し,出力電流とオン/オフ比の2.5倍以上の改善をもたらす,新規で実現可能なリチウムドーピング技術を実証した。これは,主にリチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)-イミドによる高い正孔ドーピング密度に起因し,それはソース端におけるより狭いキャリア注入障壁をもたらす。300と20Kでの接触ドーピングによるBP電界効果トランジスタのオン/オフ比は,それぞれ432と7.2×10~5である。また,20Kにおいて0.56μmのチャネル長を有する773μA/μmの高いドレイン電流を実証した。ドーピング技術は,BPトランジスタの全体性能を改善する有効な方法を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *トランジスタ ,  *最適化 ,  接触抵抗 ,  キャリア注入 ,  ドーピング ,  イミド ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  チャネル長 ,  正孔ドーピング ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： リチウム ,  ドープ ,  黒リン ,  トランジスタ ,  最適化 ,  輸送特性