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J-GLOBAL ID：201802253621768509   整理番号：18A1017313

放射光その場X線逆格子マッピングによる化合物半導体の結晶成長ダイナミクス

Crystal growth dynamics of compound semiconductors by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping

著者 (2件)： 佐々木拓生 (量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門 放射光科学研究セ) ,  高橋正光 (量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門 放射光科学研究セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 87  号： 6  ページ： 409-415  発行年： 2018年06月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 化合物半導体結晶成長の新たなその場測定手法として開発した放射光その場X線逆格子マッピングについて解説する。放射光その場X線逆格子マッピングは,結晶成長中の試料に放射光X線を照射し,試料からのX線回折の逆格子マッピングを高速測定することで,結晶格子の様子をリアルタイムで解析する手法である。放射光の特長である高輝度であることと,2次元のX線検出器を利用することで高速測定が実現され,原子層レベルの結晶成長ダイナミクスを捉えることが可能である。本稿ではGaN系およびGaAs系薄膜のひずみ変化を観測した結果を紹介する。また,3次元逆格子マッピングをその場測定することで,ひずみの面内異方性を明らかにした結果と,太陽電池を想定した多層構造に適用した結果を解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *構造解析法 ,  *シンクロトロン放射 ,  *X線 ,  *その場観察 ,  *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  窒化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  結晶成長 ,  結晶度 ,  歪 ,  点欠陥 ,  太陽電池
準シソーラス用語： *逆格子マッピング ,  結晶性 ,  多接合太陽電池 ,  *放射光

分類 (2件)： X線回折法  (BK01020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (35件)：

• 河村力,松井純爾:応用物理38,365(1969).
• N. Grandjean and J. Massies: Appl. Phys. Lett. 71, 1816 (1997).
• P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Ramsteiner, M. Reiche, M. Qi, and K.H. Ploog: Appl. Phys. Lett. 74, 3660 (1999).
• C.W. Snyder, B.G. Orr, D. Kessler, and L.M. Sander: Phys. Rev. Lett. 66, 3032 (1991).
• R. Beresford, J. Yin, K. Tetz, and E. Chason: J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1431 (2000).

タイトルに関連する用語 (6件)： 放射光 ,  X線 ,  逆格子マッピング ,  化合物半導体 ,  結晶成長 ,  ダイナミクス