抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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3次元TLC/QLC NANDフラッシュの出現により,フラッシュベースSSDの容量は急速に成長している,百ギガバイトから十/百テラバイトのことである。それに応じて,このような大きなSSD内のフラッシュ変換層(FTL)はこれまで認められていない重大な問題に直面している。従来式FTLは粗粒マッピング機構を採用し,このようにしてマッピングテーブルDRAMに完全にを促進するか,あるいは細粒マッピング機構を採用したが,負荷の場所に依存してDRAMでしばしばaccessedマッピング情報を維持した。以上政策の両方が超大容量を供給するSSDsには適していないことを論じた。,粗粒マッピング機構はDRAMに完全にするのに十分なコンパクトなマッピングテーブルを生成できないということを前に大きなSSDsは,これまでよりも多くのマッピングを導入した。第二に,大きなSSDは様々な応用背景下でのユーザの大量からのIO要求に役立つデータセンタにおける配備される傾向があり,これらのIO要求は弱い空間的および時間的地域を示す。その結果,DRAMでしばしばaccessedマッピング情報を保持していることを方法も大規模SSDのための実用的でない。本論文では,大規模SSD,ハッシュ衝突と交データ更新伝統的方法,すなわちマッピングテーブルを処理しながら,単純なハッシュ関数による論理アドレスを物理的アドレスへの大部分のための新しいKV FTLアプローチを提案した。KV FTL DRAMにフラッシュメモリからマッピングテーブルを負荷,性能を向上させる避けることによりアドレス変換を加速するだけでなく,マッピングテーブルによって導入された書込みトラヒックを減少させることができ,SSDの寿命を拡張した。著者らの知識の及ぶ限りでは,これは重要な値原理は,FTL設計に適用したのは初めてである。実験を行いその結果,提案KV FTLはSSD寿命を延長する平均13.6%と18.7%までの因子によることを示した;最適化を39%の平均および極端に集中した要求の場合の18.4%から50.7%の範囲の読取性能を改善し,平均47%の要求のための全体的な性能を改善した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
