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J-GLOBAL ID：201802253799203882   整理番号：18A0815120

非接触電気化学法を用いた多孔質シリコン中の銅の傾斜充填【JST・京大機械翻訳】

Gradient filling of copper in porous silicon using a non-contact electrochemical method

著者 (3件)： Zhao Mingrui (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  Shadman Farhang (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  Keswani Manish (Department of Materials Science and Engineering, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 445  ページ： 505-511  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非接触電気化学法を用いて,多孔質シリコン基板におけるCuの勾配ボトムアップ充填を実証した。試料面積の半径を横切って徐々に変化する半径方向対称電流を改良セル設計を用いて達成し,ビアの勾配充填をもたらした。印加電流密度,硫酸銅濃度,エッチング面積比などの異なる蒸着パラメータの影響を調べ,議論した。電流密度を10から15mA/cm2に増加させると,より鋭い勾配をもつボトムアップ堆積が生じた。さらに,硫酸銅濃度の影響に関する研究は,ボトムアップ堆積または勾配充填のいずれかが,より低いCuSO_4濃度(0.1および0.25M)で達成できないので,このプロセスにおける物質移動の重要性を強調した。興味あることに,堆積したCuの充填勾配は,1.6と2.7の堆積面積比に対するエッチングで得られ,一方,比が3.8に増加すると,より均一な堆積が観察された。このことは,勾配充填が堆積面積比に対するある範囲のエッチングでのみ達成される可能性があることを示唆している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *多孔質シリコン ,  蒸着 ,  対称性 ,  *電気化学 ,  物質移動 ,  電流密度 ,  *多孔性 ,  エッチング ,  *銅 ,  硫酸銅
準シソーラス用語： 面積比 ,  ボトムアップ ,  シリコンウエハ ,  *非接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu電気めっき ,  高アスペクト比バイア ,  ボトムアップ堆積 ,  傾斜充填

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学法 ,  多孔質シリコン ,  銅