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J-GLOBAL ID：201802253978360873   整理番号：18A1236910

トレンチ構造フォトダイオードを用いたシリコンX線センサの変調伝達関数解析

Modulation transfer function analysis of silicon X-ray sensor with trench-structured photodiodes

著者 (6件)： Ariyoshi Tetsuya (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology) ,  Iwasa Jumpei (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology) ,  Takane Yuta (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology) ,  Sakamoto Kenji (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology) ,  Baba Akiyoshi (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology) ,  Arima Yutaka (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 15  号： 11  ページ： 20180177(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トレンチ構造フォトダイオードを用いたシリコンX線センサを研究し,Compton散乱の影響を評価した。ターゲット画素をX線で照射し,隣接画素からの信号を測定することにより,提案したセンサのX線散乱と画素ぼけを決定した。長さ22.6mmのX線センサを設計して製作し,その変調伝達関数(MTF)を得た。MTFをCdTeの場合と同等に改善するセンサ構造を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *坑道 ,  *溝 ,  *フォトダイオード ,  *ケイ素 ,  *X線検出器 ,  *光学伝達関数 ,  Compton散乱 ,  画素 ,  画像ぼけ ,  *トレンチ ,  *変調伝達関数
準シソーラス用語： *X線センサ ,  *シリコン

著者キーワード (6件)： X線センサ ,  シリコンセンサ ,  シリコンウエハ ,  トレンチフォトダイオード ,  Compton散乱 ,  変調伝達関数(MTF)

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• [1] N. Gehrels, et al.: “Hard X-ray and low-energy gamma-ray spectrometers,” Sol. Phys. 118 (1988) 233 (DOI: 10.1007/BF00148595).
• [2] M. Ruat and C. Ponchut: “Characterization of a pixelated CdTe X-ray detector using the timepix photon-counting readout chip,” IEEE Trans. Nucl. Sci. 59 (2012) 2392 (DOI: 10.1109/TNS.2012.2210909).
• [3] A. Owens and A. Peacock: “Compound semiconductor radiation detectors,” Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A 531 (2004) 18 (DOI: 10.1016/j.nima.2004.05.071).
• [4] XCOM: Photon Cross Sections Database: https://www.nist.gov/pml/xcom-photon-cross-sections-database.
• [5] T. Ariyoshi, et al.: “Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode,” Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 04FH04 (DOI: 10.7567/JJAP.57.04FH04).

タイトルに関連する用語 (6件)： トレンチ ,  フォトダイオード ,  シリコン ,  X線センサ ,  変調伝達関数 ,  解析