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J-GLOBAL ID:201802253978360873   整理番号:18A1236910

トレンチ構造フォトダイオードを用いたシリコンX線センサの変調伝達関数解析

Modulation transfer function analysis of silicon X-ray sensor with trench-structured photodiodes
著者 (6件):
資料名:
巻: 15  号: 11  ページ: 20180177(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: U0039A  ISSN: 1349-2543  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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トレンチ構造フォトダイオードを用いたシリコンX線センサを研究し,Compton散乱の影響を評価した。ターゲット画素をX線で照射し,隣接画素からの信号を測定することにより,提案したセンサのX線散乱と画素ぼけを決定した。長さ22.6mmのX線センサを設計して製作し,その変調伝達関数(MTF)を得た。MTFをCdTeの場合と同等に改善するセンサ構造を提案した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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光導電素子  ,  半導体集積回路 
引用文献 (10件):
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