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J-GLOBAL ID：201802289815391832   整理番号：18A0910947

側面X線照射モードを用いた効率的なX線-電流信号変換のためのウエハ上のシリコントレンチフォトダイオード

Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode

著者 (6件)： ARIYOSHI Tetsuya (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  TAKANE Yuta (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  IWASA Jumpei (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  SAKAMOTO Kenji (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  BABA Akiyoshi (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  ARIMA Yutaka (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FH04.1-04FH04.6  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： X線照射 ,  *X線検出器 ,  信号変換 ,  *ウエハ【IC】 ,  *フォトダイオード ,  半導体 ,  変換
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  直接変換

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： X線照射 ,  X線 ,  電流信号 ,  ウエハ