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J-GLOBAL ID：201802254201912011   整理番号：18A0190621

28mVのSS平均を用いたゲート電場による整列したバンド間トンネリングの新しい縦型トンネルFET【Powered by NICT】

A novel vertical tunnel FET of band-to-band tunneling aligned with gate electric field with averaged SS of 28 mV/decade

著者 (4件)： Shih Pao-Chuan (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University) ,  Huang Hsien-Chih (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University) ,  Wang Chien-An (Department of Electrical Engineering, National Taiwan University) ,  Li Jiun-Yun (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SNW  ページ： 49-50  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート電場にそろったバンド間トンネリングの新しい垂直トンネルFETを提案した。シミュレーション結果はトンネル接合上の優れたゲート制御により,高い駆動電流と極めて鋭いサブしきい値スイングを示した。ソースからドレインへのトンネリングによるOFF状態の漏れは,ソースとドレイン層の間のスペーサ層によって抑制されている。さらに,この素子は,VLSI技術に完全に適合した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 超LSI ,  シミュレーション ,  トンネル接合 ,  *電場 ,  *トンネル効果
準シソーラス用語： オフ状態 ,  サブ閾値スイング ,  駆動電流 ,  ゲート制御 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *バンド間トンネリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： SS ,  平均 ,  ゲート ,  電場 ,  整列 ,  バンド間トンネリング ,  縦型 ,  トンネルFET