文献
J-GLOBAL ID：201802254333554472   整理番号：18A0365624

Amplification of Terahertz Radiation in a Plasmon n-i-p-i Graphene Structure with Charge-Carrier Injection

著者 (4件)：
POLISCHUK O. V.

POLISCHUK O. V. について

(Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS)

Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS について

, 
FATEEV D. V.

FATEEV D. V. について

(Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS)

Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS について

, 
POPOV V. V.

POPOV V. V. について

(Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS)

Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS について

, 
POPOV V. V.

POPOV V. V. について

(National Res. Saratov State Univ., Saratov, RUS)

National Res. Saratov State Univ., Saratov, RUS について


資料名：
Semiconductors  (Semiconductors)

Semiconductors について


巻： 51  号： 11  ページ： 1460-1465  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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