Charge Density at the Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Interface in Metal-Insulator-Semiconductor Devices: Semiclassical and Quantum Mechanical Descriptions

文献

J-GLOBAL ID：201802254692478037 整理番号：18A0365652

Charge Density at the Al₂O₃/Si Interface in Metal-Insulator-Semiconductor Devices: Semiclassical and Quantum Mechanical Descriptions

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巻： 51 号： 12 ページ： 1625-1633 発行年： 2017年12月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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