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J-GLOBAL ID：201802254705916420   整理番号：18A1412258

高分解能X線光ルミネセンスにより研究したSiO2/ZnS膜の界面【JST・京大機械翻訳】

The interface of SiO2/ZnS films studied by high resolution X-ray photoluminescence

著者 (6件)： Shinjita Acharya (DEPARTMENT OF MECHANICAL ENGINEERING,STANFORD UNIVERSITY,STANFORD,CA 94305,USA) ,  Orlando Trejo (DEPARTMENT OF MECHANICAL ENGINEERING,STANFORD UNIVERSITY,STANFORD,CA 94305,USA) ,  Anup Dadlani (DEPARTMENT OF CHEMISTRY,STANFORD UNIVERSITY,STANFORD,CA 94305,USA) ,  Jan Torgersen (DEPARTMENT OF MECHANICAL ENGINEERING,STANFORD UNIVERSITY,STANFORD,CA 94305,USA;DEPARTMENT OF MECHANICAL AND INDUSTRIAL ENGINEERING,NORWEGIAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY,7034 TRONDHEIM,NORWAY) ,  Filippo Berto (DEPARTMENT OF MECHANICAL AND INDUSTRIAL ENGINEERING,NORWEGIAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY,7034 TRONDHEIM,NORWAY) ,  Fritz Prinz (DEPARTMENT OF MECHANICAL ENGINEERING,STANFORD UNIVERSITY,STANFORD,CA 94305,USA;DEPARTMENT OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING,STANFORD UNIVERSITY,STANFORD,CA 94305,USA)
資料名： Lixue Kuaibao  (Lixue Kuaibao)
巻： 8  号： 1  ページ： 24-27  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2867A  ISSN： 2095-0349  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電子デバイスにおける鋭い界面は,適切なバンドアラインメントのためのキーである。バッファ層としての利点にもかかわらず,原子層堆積(ALD)により堆積されたZnSは,その基板への相互混合界面を与え,それはデバイス性能に対して有害である可能性がある。ここでは,高分解能X線光ルミネセンス分光法(XPS)を用いてSiO2上の超薄膜ZnSを研究するこの金属-酸化物から金属-硫化物遷移への化学種の解明を試みた。ZnSの3サイクルだけの堆積後のS2pスペクトルに関して,Sが存在する多くの異なる化学種を発見した。これらはSO42-のような中間酸化物を含む。これらの種は,XPSチャンバー内の試料をより浅い角度に傾斜させると,より明白になる。深さプロファイルにおけるSi 2pとS 2pの高分解能ピークを比較することにより,下層基板の界面へのSO42-の閉じ込めを明確に明らかにすることができた。これは,SiO2/ZnS界面がこの界面の電子配置を変化させる可能性のある界面硫酸塩を含むことを示している。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 硫酸塩 ,  *二酸化ケイ素 ,  *X線 ,  超薄膜 ,  化学種 ,  深さプロフィル ,  下層 ,  スペクトル ,  *硫化亜鉛 ,  *光ルミネセンス ,  *界面 ,  *高分解能 ,  バッファ層
準シソーラス用語： チャンバ ,  バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分解能 ,  X線 ,  光ルミネセンス ,  研究 ,  SiO2 ,  ZnS ,  界面