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J-GLOBAL ID：201802254714877205   整理番号：18A0990737

その場エッチングを用いたシリコン基板上のGaNにおける転位の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching

著者 (11件)： Matsumoto Koji (SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari 849-4256, Japan) ,  Matsumoto Koji (Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ono Toshiaki (SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari 849-4256, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Usami Shigeyoshi (Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kushimoto Maki (Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Murakami Satoshi (SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari 849-4256, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Amano Hiroshi (Venture Business Laboratory Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255  号： 5  ページ： e1700387  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低密度の貫通転位をもつ窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル層を,その場ガスエッチングを用いてシリコン基板上に成長させることに成功した。窒化けい素(SiN_x)膜をマスクとして用い,アンモニアをエッチング中に水素雰囲気中で間欠的に供給した。エッチング後,高密度の深いピットがGaNテンプレート層の表面に現れ,層内の貫通転位に対応した。この新しい方法では,テンプレートGaN層上に付加的なGaN層を成長させる前に,第二のSiN_x層をエッチング過程後に堆積させ,この層はピットの上部側壁上の成長からGaN核を防止する。この方法を用いて,GaN表面の貫通転位の密度を6.7×10~7cm-2に低減した。この方法は費用対効果が高く,有機金属化学蒸着(MOCVD)反応器から試料を取り出すことなく,一つの成長操作において必要な全てのプロセスを完成させる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  貫通転位 ,  *エッチング ,  アンモニア ,  *窒化ガリウム ,  反応器 ,  MOCVD
準シソーラス用語： 費用対効果 ,  高密度 ,  水素雰囲気 ,  エピタキシャル層 ,  低密度 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  その場エッチング ,  ナノピット ,  シリコン ,  貫通転位

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチング ,  シリコン基板 ,  GaN ,  転位