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J-GLOBAL ID：201802254755938189   整理番号：18A1711702

多段階低速アニーリング戦略による強化ペロブスカイトフォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Enhanced perovskite phototransistor by multi-step slow annealing strategy

著者 (14件)： Cao Mingxuan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Cao Mingxuan (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang Yating (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Zhang Yating (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Yu Yu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Yu Yu (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Jin Lufan (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Li Yifan (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Chen Zhiliang (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Che Yongli (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Dai Haitao (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang Guizhong (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Yao Jianquan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Yao Jianquan (Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 84  ページ： 498-503  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メチルアンモニウム鉛ハロゲン化物ペロブスカイトは,長い電子-正孔拡散距離,UV-Visスペクトル領域における大きな吸収係数,低コスト,溶液ベース処理および励起子の低結合エネルギーを含む優れた光電子特性のため,研究光起電力コミュニティにおいてかなりの注目を集めている。しかし,ピンホール,欠陥および結晶粒界のようなペロブスカイト膜の結晶欠陥は,キャリア捕獲,トラッピングおよび散乱をもたらし,したがって,チャネル中のキャリア移動度を減少させ,それは,高いデバイス性能のボトルネックになり,光検出における応用を制限した。ここでは,ピンホール形成の欠陥を抑制することにより,被覆率,滑らかさ,均一性および結晶度を効果的に改善できる,多段階アニーリング過程に基づく簡単で簡単な戦略を報告した。室温での一段階(OS)直接アニーリング法により処理したペロブスカイト光検出器の電界効果移動度は正孔(電子)に対して0.256(0.129)cm~2V~-1s-1の移動度を示し,これは多重ステップ(MS)アニーリング法で処理した場合2.32(1.18)cm~2V~-1s-1に増加した。後者は,8.94×10~11Jonesの検出能,32A/Wの応答性,42μsの短い応答時間という高い性能指数を示した。さらに,それは,被覆されたポリメタクリル酸メチル膜でより良い安定性を示し,それは,大気中で10日間,初期性能の90%を維持することができた。これらの知見は,MSアニーリング法が簡単ではあるが,高効率ペロブスカイト系光検出器を調製するのに有効で,実行可能であることを示している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  格子欠陥 ,  多重化 ,  応答時間 ,  光起電力 ,  キャリア捕獲 ,  光検出 ,  ピンホール ,  チャネル ,  光検出器 ,  キャリア移動度 ,  吸収係数 ,  スペクトル ,  結晶粒界 ,  *焼なまし

著者キーワード (5件)： ハイブリッドペロブスカイト ,  アニーリング技術 ,  フォトトランジスタ ,  高速応答 ,  長期安定性

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  低速 ,  アニーリング ,  戦略 ,  強化