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J-GLOBAL ID：201802254766783478   整理番号：18A0490977

有機金属化学蒸着により堆積したニオブをドープしたチタニアエピタキシャル膜の特性評価【Powered by NICT】

Characterization of niobium-doped titania epitaxial films deposited by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (6件)： Zhao Wei (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Luan Caina (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Ma Xiaochen (BOE Technology Group Co. Ltd., Beijing 100016, PR China) ,  Feng Xianjin (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  He Linan (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Ma Jin (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 137  ページ： 263-268  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるニオブ(Nb)ドーピング濃度を持つチタニア(TiO_2)膜を有機金属化学気相成長法(MOCVD)によりSrTiO_3(STO)(100)基板上に堆積した。結晶構造,表面形態,Nb含有量と共に変化するNbドープTiO_2(TiO_2:Nb)膜の電気的および光学的性質を調べた。アナターゼ構造を有する単結晶TiO_2膜は低Nbドーピングレベルで得られた。調製された膜の最高のHall移動度は16.50cm~2V~ 1s~ 1に達した。Hall移動度7.40cm~2V~ 1s~ 1およびキャリア濃度1.47×10~19cm~ 3の5.75×10~ 2Ωcmの最低の抵抗率は1.20%NbドープTiO_2膜から得られた。抵抗率はドープしていないTiO_2膜よりも約6桁低かった。さらに,すべての堆積した膜は可視波長領域で88%以上の高い平均透過率を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  光学的性質 ,  *ドーピング ,  電気抵抗率 ,  アナターゼ ,  *ニオブ ,  *キャラクタリゼーション ,  Hall移動度 ,  単結晶 ,  結晶構造 ,  *MOCVD ,  透過率
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *エピタキシャル膜 ,  *二酸化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TiO_2 ,  Nbドーピング ,  Microstructures ,  電気的性質 ,  光学的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着 ,  堆積 ,  ニオブ ,  ドープ ,  チタニア ,  エピタキシャル膜 ,  特性評価