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J-GLOBAL ID:201802254790603036   整理番号:18A0957657

グラフェントランジスタを用いた熱電処理による高感度テラヘルツ検出に向けて

Towards sensitive terahertz detection via thermoelectric manipulation using graphene transistors
著者 (19件):
資料名:
巻: 2018  号: Apr  ページ: WEB ONLY  発行年: 2018年04月 
JST資料番号: U0883A  ISSN: 1884-4057  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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・対称性対フィンガー構造導入のアンテナ結合型CVD型グラフェントランジスタを使った高感度THz光検出器の開発。
・.グラフェンは,CVD法によりSi/SiO2上に作製。
・対フィンガー構造は,電子ビームリソグラフィーによりチャンネルの中央に作製。
・機械的剥離によるグラフェン熱電検出器と同等の性能,最大280V/Wの最大応答性と室温での100pW/Hz0.5の熱雑音制限最小雑音等価電力(NEP)。
・バイアス場と電磁サイズ効果を使ってホットキャリア分布を操作,キャリア-THz場の相互作用により,熱起電力(PV)と光導電(PC)モードをスイッチング可能とし十分な光電ゲインを生成。
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分類 (3件):
分類
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炭素とその化合物  ,  トランジスタ  ,  その他の光伝送素子 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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