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J-GLOBAL ID：201802254874489029   整理番号：18A0151015

埋込みPtナノ結晶を用いた成形自由TiO_2~ ベースRRAMにおける増強された均一性を有する超低電力マルチレベルスイッチング【Powered by NICT】

Ultra-Low Power Multilevel Switching with Enhanced Uniformity in Forming Free TiO_2-x-Based RRAM with Embedded Pt Nanocrystals

著者 (5件)： Tsigkourakos Menelaos (Department of Applied Physics National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9, 15780 Athens, Greece) ,  Bousoulas Panagiotis (Department of Applied Physics National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9, 15780 Athens, Greece) ,  Aslanidis Vaggelis (Department of Applied Physics National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9, 15780 Athens, Greece) ,  Skotadis Evangelos (Department of Applied Physics National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9, 15780 Athens, Greece) ,  Tsoukalas Dimitris (Department of Applied Physics National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9, 15780 Athens, Greece)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700570  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 信頼性のあるマルチレベル記憶性能を達成するために種々の抵抗状態の正確な制御が強く望まれている。しかし,酸素空孔生成の固有のランダム性のため,重大な変動性問題が生じる。本研究では,nWの範囲で超低電力消費の有望なマルチレベル能力を示し,小さい(直径≒5nm)Ptナノ結晶に埋込まれた(NC)による45nm TiO_2~ xベース抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)におけるサブ200nA動作電流を用いた。抵抗値は酸素空格子点密度と導電性フィラメント(CF)の直径の両方に強い依存性を示したので,変動(または均一性)の程度は,これらの二つのパラメータの一つを制御することによって改善できる。NCの存在は,連続サイクル(時間的)均一性を促進し,非常に低い運転出力条件でもNCの周囲に集中した電場による多重と高密度CFsの生成を可能にすることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *白金 ,  電流 ,  信頼性 ,  電場 ,  多重化 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： *低電力化 ,  高密度 ,  導電性フィラメント ,  ランダム性 ,  酸素空格子点 ,  *マルチレベル ,  *超低消費電力 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 低電力動作 ,  マルチレベル抵抗スイッチング ,  nanocrystals ,  variability

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (10件)： 埋込み ,  Pt ,  ナノ結晶 ,  成形自由 ,  RRAM ,  増強 ,  均一性 ,  低電力 ,  マルチレベル ,  スイッチング