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J-GLOBAL ID：201802254875559335   整理番号：18A1892775

スパッタ法によるエピタキシャルFe_3-xTi_xO₄固溶体薄膜の作製

Preparation of Epitaxial Fe_3-xTi_xO₄ Solid Solution Films by Sputtering Method

著者 (4件)： 西村和泰 (岡山大学大学院自然科学研究科応用化学専攻) ,  北園昌弘 (岡山大学大学院自然科学研究科応用化学専攻) ,  中西真 (岡山大学大学院自然科学研究科応用化学専攻) ,  藤井達生 (岡山大学大学院自然科学研究科応用化学専攻)
資料名： 粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)
巻： 65  号： 9  ページ： 585-588(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 反応性スパッタ法により,α-Al₂O₃(0001)基板上に,チタン磁鉄鉱固溶体Fe_3-xTi_xO₄を調製した。(111)配向を持つFe_3-xTi_xO₄のほぼ単相が基板上にエピタキシャル形成された。Fe_3-xTi_xO₄[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0](111)||α-Al₂O₃[1<span style=text-decoration:overline>1</span>00](0001)のエピタキシャル関係を確認した。x<0.6を持つ全ての膜は室温でフェリ磁性を示した。膜の飽和磁化はTi濃度xに依存して系統的な変化を示した。Fe_3-xTi_xO₄中のTi⁴⁺イオンは,Neel-Chevallierモデルに従うことにより八面体Fe³⁺イオンを置換することが期待できた。膜は熱的に活性化された半導体挙動とTi濃度に対して指数関数的に増加する電気抵抗率を有していた。吸収分光法から観測された直接的な光学バンドギャップはまた,Ti濃度の増加に伴って単調な増加を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  αアルミナ ,  基板 ,  *チタン磁鉄鉱 ,  *固溶体 ,  単相 ,  *エピタクシー ,  チタン ,  フェリ磁性 ,  *スパッタ蒸着 ,  電気抵抗率 ,  指数関数 ,  吸光分光分析 ,  光学ギャップ ,  薄膜 ,  薄膜成長 ,  半導体 ,  飽和磁化

著者キーワード (8件)： フェリ磁性半導体 ,  薄膜 ,  Fe_3-xTi_xO_4固溶体 ,  スパッタリング法 ,  フェリ磁性半導体 ,  薄膜 ,  Fe_3-xTi_xO_4固溶体 ,  スパッタリング法

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

引用文献 (16件)：

• 1) M. Bibes, A. Berthelemy: IEEE Trans. Electron. Devices., 54 (2007) 1003.
• 2) X. W. Li, A. Gupta, G. Xiao, W. Qian, V. P. Dravid: Appl. Phys. Lett., 73 (1998) 3282.
• 3) J. Liu, Xi-Ming Chen, Y. Liu, H. N. Dong: Phys. Scr., T129 (2007) 144-148.
• 4) M.S. Ghiorso: Phys. Chem. Minerals., 25 (1997) 28-38.
• 5) K. Kose, A. Ueki, S. Iida: J. Phys. Soc. Jpn., 47 (1979) 77-83.

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ法 ,  エピタキシャル ,  固溶体 ,  薄膜 ,  作製