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J-GLOBAL ID：201802254890393413   整理番号：18A2116403

酸素還元反応のための効率的電極触媒としての窒素ドープグラフェン上に均一に固定されたVN量子ドット【JST・京大機械翻訳】

VN Quantum Dots Anchored Uniformly onto Nitrogen-Doped Graphene as Efficient Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction

著者 (3件)： Wang Jing (Key Laboratory of Aerospace Advanced Materials and Performance of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, P. R. China) ,  Wang Lan (Key Laboratory of Aerospace Advanced Materials and Performance of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, P. R. China) ,  Yang Shubin (Key Laboratory of Aerospace Advanced Materials and Performance of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, P. R. China)
資料名： Nano  (Nano)
巻： 13  号： 4  ページ： 1850041  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2379A  ISSN： 1793-2920  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドープグラフェン上に均一に固定された新しいタイプの窒化バナジウム量子ドット(VNQD-NG)を,水熱およびアンモニアアニーリングプロセスを組み合わせたORR用の非貴金属ベースの電極触媒として作製した。3~6[数式:原文を参照]nmのサイズの豊富なVN量子ドット,高表面積および多準位細孔を含むVNQD-NGの独特の構造的特徴は,活性部位としてかなりの構造的エッジおよび欠陥をもたらし,曝露活性部位を最大化し,ORRのための十分な電子輸送経路を提供する。したがって,最適化したVNQD-NGは,ORRに対して高い電極触媒活性,長い耐久性および高い選択性を示し,市販のPt-Cよりも優れていた。窒素ドープグラフェン(VNQD-NG)上に均一に固定した窒化バナジウム量子ドットを作製した。豊富なVN量子ドット,高表面積および多準位細孔を含むVNQD-NGの独特の構造的特徴はORRにとって好ましい。VNQD-NGは,ORRに対して高い電極触媒活性,長い耐久性および高い選択性を示し,市販のPt-Cより優れていた。Copyright 2018 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面積 ,  活性部位 ,  アンモニア ,  耐久性 ,  *量子ドット ,  細孔 ,  焼なまし ,  *電極触媒 ,  貴金属 ,  最適化 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電極触媒活性 ,  窒化バナジウム ,  *窒素ドーピング ,  *酸素還元 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： VN ,  量子ドット ,  ORR電極触媒 ,  窒素ドープグラフェン

分類 (3件)： 医用素材  (GA05040H) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素還元反応 ,  電極触媒 ,  窒素ドープ ,  グラフェン ,  量子ドット