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J-GLOBAL ID：201802255142026555   整理番号：18A1028436

エミッタプロファイリングと太陽電池性能に及ぼす熱酸化プロセスの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of thermal oxidation process on emitter profiling and solar cell performance

著者 (7件)： Habib A. (Technological Institute of Microelectronics (TiM), University of the Basque Country, Zamudio, Spain) ,  Fano V. (Technological Institute of Microelectronics (TiM), University of the Basque Country, Zamudio, Spain) ,  Rasool M. A. (Technological Institute of Microelectronics (TiM), University of the Basque Country, Zamudio, Spain) ,  Otaegi A. (Technological Institute of Microelectronics (TiM), University of the Basque Country, Zamudio, Spain) ,  Gutierrez J. R. (Technological Institute of Microelectronics (TiM), University of the Basque Country, Zamudio, Spain) ,  Jimeno J. C. (Technological Institute of Microelectronics (TiM), University of the Basque Country, Zamudio, Spain) ,  Ahmed M.T. (Faculty of Science, Department of Physics, Mansoura University, Mansoura, Egypt)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン表面濃度の制御は太陽電池効率に強い影響を与えるために非常に重要である。TSUPREEM-4シミュレーションプログラムを用いて,2種類のリンプロファイルをシミュレートした。種々の拡散温度に対する拡散プロセス後に熱乾燥酸化段階を導入した後に,種々の拡散温度に対する予備蒸着プロセスと第二エミッタプロファイルにより,最初のエミッタプロファイルを得た。第一のエミッタは,エミッタ表面濃度Ns=(0.8~3),10~20cm~3,接合深さ(0.35~0.6)μmを持つ(η16~19%)PC1Dシミュレーションプログラムを用いて最大効率を示した。第二のエミッタに対して,表面濃度は同じ拡散パラメータで減少し,表面ドーピング濃度N_s=(0.6~2),10~19(cm~3)および接合深さ(1.3~2.3)μmで最大効率(η20~21%)の改善を示した。酸化けい素層の厚さは,高表面ドープエミッタに対してより厚くなった。シリコン太陽電池性能とパラメータは熱乾燥酸化プロセス後に改善され,より効率的になる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 拡散過程 ,  酸化ケイ素 ,  ドーピング ,  *酸化 ,  *熱酸化 ,  *太陽電池 ,  接合 ,  *リン
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  シミュレーションプログラム ,  表面濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： エミッタ ,  プロファイリング ,  太陽 ,  電池性能 ,  熱酸化 ,  プロセス