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J-GLOBAL ID：201802255203259796   整理番号：18A1239914

反転層チャネルダイヤモンドMOSFET~ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成~

Inversion channel diamond MOSFET~Formation of diamond MOS interface by wet annealing~

著者 (8件)： 松本翼 (金沢大 理工研究域) ,  加藤宙光 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  小倉政彦 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  竹内大輔 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  猪熊孝夫 (金沢大 理工研究域) ,  山崎聡 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  徳田規夫 (金沢大 理工研究域)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 110(SDM2018 16-26)  ページ： 19-22  発行年： 2018年06月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンド半導体においても,ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では,SiにおけるSiO₂のような良質な自然酸化膜が存在しないため,その実現は困難であると考えられてきた。近年,低濃度リンドーピング技術とダイヤモンド表面をOHで終端できるウェットアニール技術を組み合わせることで,ダイヤモンドMOS界面の品質改善に成功し,反転層チャネルMOSFET実現に至った。ここでは,MOSFETの材料としてのダイヤモンドの紹介からMOS界面におけるウェットアニール処理の効果,そして,MOSFETの現状と課題について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ダイヤモンド ,  *反転層 ,  チャネル ,  表面準位 ,  アニーリング【現象】 ,  湿式法 ,  回路特性 ,  酸化膜 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ノーマリーオフ ,  界面準位 ,  自然酸化膜

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (4件)：

• T. Matsumoto, H. Kato, K. Oyama, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Inokuma, N. Tokuda, and S. Yamasaki, Sci. Rep. 6, 31585 (2016).
• I. Akimoto, N. Naka, and N. Tokuda, Diamond Relat. Mater. 63, pp. 38-42 (2016).
• 荒井和雄、吉田貞史,SiC素子の基礎と応用,オーム社(2003).
• T. Matsumoto, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Imura, A. Ueda, T. Inokuma, and N. Tokuda, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 04FR01 (2018).

タイトルに関連する用語 (7件)： 反転層 ,  チャネル ,  ダイヤモンド ,  アニール処理 ,  高品質 ,  MOS ,  界面