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J-GLOBAL ID：201802255316661208   整理番号：18A0858913

マルチチップパワーモジュールにおける過渡電流分布に対する平行ダイスと並列ハーフブリッジの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Paralleling Dies and Paralleling Half-Bridges on Transient Current Distribution in Multichip Power Modules

著者 (7件)： Li Helong (R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.) ,  Zhou Wei (SiC Product Department, CRRC Corporation, Ltd., Zhuzhou, China) ,  Wang Xiongfei (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Munk-Nielsen Stig (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Li Daohui (R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.) ,  Wang Yangang (R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.) ,  Dai Xiaoping (State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices, Zhuzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 33  号： 8  ページ： 6483-6487  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,異なる電流転流機構を持つ2つのタイプの並列接続が考慮されているマルチチップ半ブリッジ電力モジュールにおける過渡電流分布を検討した。それは,並列ダイスにより,高サイドと低サイド並列デバイスの両方が,不整合漂遊インダクタンスにより,同様の過渡電流不均衡を経験することを明らかにした。しかし,並列ハーフブリッジと同じ不整合漂遊インダクタンスで,高サイド並列デバイスははるかに小さい過渡電流不均衡を有し,その原因は電流整流プロセスにあることが分かった。回路モデリングと電流転流プロセスに基づく理論解析は,実験結果により確認された知見を詳述した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  並列接続 ,  モデリング ,  不整合 ,  整流 ,  *電流
準シソーラス用語： 理論解析 ,  不均衡 ,  *パワーモジュール ,  *ハーフブリッジ ,  *過渡電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電流分布 ,  ダイス ,  ハーフブリッジ