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J-GLOBAL ID:201802255321648580   整理番号:18A1378323

P-21:高分解能AMOLED応用のための3マスク高金属酸化物薄膜トランジスタ技術【JST・京大機械翻訳】

P-21: Three-Mask Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor Technology for High-Resolution AMOLED Application
著者 (9件):
資料名:
巻: 49  号:ページ: 1256-1259  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0907A  ISSN: 0097-966X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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能動島の自己整合定義を組み込んで,熱誘起ソース/ドレイン領域を持つ一マスク還元型金属酸化物(EMMO)薄膜トランジスタ(TFT)を高分解能AMOLED応用のために提案した。このような3マスクEMMO TFTは,小さなデバイスフットプリント,低い製造コスト,低減されたオーバーラップ寄生容量および良好なデバイス特性の利点を組み合わせている。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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トランジスタ 

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