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J-GLOBAL ID：201802255375791529   整理番号：18A1932653

マグネトロンスパッタリングにより成長させたGaドープZnO薄膜の電気的性質と組成に及ぼす堆積圧力と基板バイアスの影響に関する深さ内X線光電子分光法と飛行時間二次イオン質量分光法による研究【JST・京大機械翻訳】

Combined in-depth X-ray Photoelectron Spectroscopy and Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy study of the effect of deposition pressure and substrate bias on the electrical properties and composition of Ga-doped ZnO thin films grown by magnetron sputtering

著者 (7件)： Correia Filipe C. (Centre of Physics, University of Minho, 4804-533 Guimaraes, Portugal) ,  Ribeiro Joana M. (Centre of Physics, University of Minho, 4804-533 Guimaraes, Portugal) ,  Salvador Paulo B. (Centre of Physics, University of Minho, 4804-533 Guimaraes, Portugal) ,  Welle Alexander (Institute of Functional Interfaces (IFG), and Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Bruns Michael (Institute for Applied Materials (IAM), and Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Mendes Adelio (LEPABE, Faculty of Engineering of the University of Porto, Rua Roberto Frias s/n, 4200-465 Porto, Portugal) ,  Tavares Carlos J. (Centre of Physics, University of Minho, 4804-533 Guimaraes, Portugal)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 665  ページ： 184-192  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,DCマグネトロンスパッタリングにより堆積させたガリウムドープ酸化亜鉛薄膜のバルク組成,電気的および微細構造的性質に及ぼす印加基板バイアスおよび蒸着圧力の影響を報告した。種々のプロセス条件に対するGa含有量を決定するために,飛行時間二次イオン質量分析およびX線光電子分光法研究を行った。実験により,全ての膜のバルク組成は均一で,3.9at.%の最適化Gaドーピングが-100Vの基板バイアスと0.51Paの堆積圧力で得られることを確認した。また,低い電気抵抗率(2.6×10~3Ωcm)をもつ膜は,[001]優先結晶方向をもつ六方晶系ウルツ鉱型構造をもつことを検証した。これらの透明導電性酸化物薄膜は光電池における電極としての潜在的応用を有する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 六方晶系 ,  *ドーピング ,  *薄膜 ,  *ガリウム ,  蒸着 ,  *X線光電子スペクトル ,  *薄膜成長 ,  *X線光電子分光法 ,  構造特性 ,  *二次イオン ,  結晶方位 ,  電気抵抗率 ,  *マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  印加電圧 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  *飛行時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  透明導電性酸化物 ,  ガリウムドープ酸化亜鉛 ,  深さ組成 ,  電気的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (15件)： マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  電気的性質 ,  組成 ,  堆積 ,  基板バイアス ,  X線光電子分光法 ,  飛行時間 ,  二次イオン ,  質量 ,  分光法 ,  研究