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J-GLOBAL ID：201802255418817188   整理番号：18A0973704

スケール化InGaAsデュアルゲート超薄ボディMOSFETにおけるランダムドーパントゆらぎ変動性:ソースとドレインドーピング効果【JST・京大機械翻訳】

Random dopant fluctuation variability in scaled InGaAs dual-gate ultra-thin body MOSFETs: Source and drain doping effect

著者 (4件)： Zagni Nicolo (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Puglisi Francesco Maria (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Pavan Paolo (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Verzellesi Giovanni (Dipartimento di Metodi e Scienze dell’Ingegneria (DISMI), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IIRW  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,2つの技術的ノード(物理的ゲート長L_g=15nmとL_g=10.4nm)における二重ゲート超薄膜(DG-UTB)InGaAs nMOSFETにおける閾値電圧の統計的変動性とプロセス変動に対するそれぞれの感度に関するシミュレーション結果を提示した。特に,チャネルとソース/ドレイン領域の両方におけるランダムDoppler(RDF)の効果に焦点を合わせた。他の変動源(すなわち,仕事関数変動,WFF,ラインエッジ粗さ,LER)の影響は,既存の技術戦略により制御できるが,RDFはソース/ドレインドーピングに強く依存するが,チャネルドーピング変化による影響は小さいことを見出した。さらに,結果は,現在のプロセス技術の範囲を超えている非常に高いソース/ドレインドーピングレベルでより低いRDF変動効果を達成する可能性を示し,したがって,RDFは非常に高いソース/ドレインドーピングを達成する困難さのために,超スケールInGaAsデバイスの全体的変動性への制限因子になる可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  超薄膜 ,  *ゆらぎ ,  仕事関数 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  チャネル
準シソーラス用語： 技術戦略 ,  ラインエッジ粗さ ,  プロセス変動 ,  閾値電圧 ,  nMOSFET ,  ゲート長 ,  *ドーピング効果 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： スケール ,  InGaAs ,  デュアルゲート ,  ボディ ,  MOSFET ,  ドーパント ,  ゆらぎ ,  変動性 ,  ソース ,  ドレイン ,  ドーピング効果