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J-GLOBAL ID：201802255547873267   整理番号：18A1941711

S2-/SO_32-系におけるsuspensiブルCd_xZn_1-xSナノ結晶光触媒の一段階簡易合成と高H_2発生活性【JST・京大機械翻訳】

One-step facile synthesis and high H₂-evolution activity of suspensible Cd_xZn_1-xS nanocrystal photocatalysts in a S^2-/SO₃^2- system

著者 (4件)： Zhong Wei (Department of Chemistry, School of Chemistry, Chemical Engineering and Life Sciences, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China. [e-mail]) ,  Huang Xiao ,  Xu Ying ,  Yu Huogen
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 41  ページ： 19418-19426  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSベース光触媒に対して,光腐食抵抗と急速なH_2生成反応の両方が,その光触媒H_2生産性能を改善するために非常に必要である。本研究では,硫黄に富むS2-/SO3-溶液中でのCd_xZn_1-xS固溶体光触媒の改善された光腐食抵抗と急速な界面H_2発生反応を同時に実現するための容易な戦略を報告した。本研究では,硫黄リッチNa_2S-Na_2SO_3溶液中でのZn2+/Cd2+混合イオンの直接導入により,懸濁性Cd_xZn_1-xSナノ結晶光触媒を調製し,得られたCd_xZn_1-xSナノ結晶(約5nm)は,これらのCd_xZn_1-xSナノ結晶表面上のS2-/SO_3-2の多数の選択的吸着により懸濁構造を示した。Cd_xZn_1-xS(2.25~3.52eV)ナノ結晶のバンドギャップ構造は,Cd2+/Zn2+モル比を調整することにより容易に制御できることが分かった。光触媒実験結果は,懸濁可能なCd_xZn_1-xSナノ結晶光触媒が優れた光触媒H_2生産性能を明確に示し,懸濁性Cd_0.6Zn_0.4Sナノ結晶が717.19μmol h(-1)の最高光触媒H_2生成性能を示し,単一CdS(320.99μmol h(-1))とZnS(5.89μmol h(-1))より高い値を示した。実験結果に基づいて,可能性のあるS2活性部位仲介機構は懸濁Cd_xZn_1-xSナノ結晶の高いH_2生産活性を説明した。すなわち,多数の吸着S2-イオンは光生成孔を急速に消費し,懸濁Cd_xZn_1-xSナノ結晶の光腐食抵抗を改善した。一方,懸濁性Cd_xZn_1-xSナノ結晶の最適バンドギャップ構造は,光触媒H_2生産活性を促進するために非常に必要である。本研究は,安定で高活性な光触媒材料を開発するための高度な洞察を提供する可能性がある。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *ナノ結晶 ,  硫化カドミウム ,  高速度 ,  耐食性 ,  硫化亜鉛 ,  *光触媒 ,  硫黄 ,  固溶体 ,  モル比 ,  光生成 ,  バンドギャップ ,  活性部位 ,  懸濁液
準シソーラス用語： 選択吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ結晶 ,  光触媒 ,  段階 ,  簡易 ,  活性