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J-GLOBAL ID：201802255578945596   整理番号：18A1806634

高安定性駆動と低電力増幅のためのポリSi基板上の薄膜ヘテロ接合FET【JST・京大機械翻訳】

Thin-Film Heterojunction FETs on Poly-Si Substrates for High-Stability Driving and Low-Power Amplification

著者 (1件)： Hekmatshoar Bahman (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 10  ページ： 1528-1531  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスSiゲートと水素化ポリSiソースとドレイン領域を有する薄膜ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HJFET)デバイスを,小粒ポリSi基板上で実証した。トランジスタ作製プロセス(ポリSi調製を除く)温度は~200°C以下である。HJFETデバイスは,従来のポリSiデバイスよりも低い動作電圧,急峻なサブ閾値特性,低いフリッカー雑音,および高い安定性を可能にする。生物学的シグナルの容量読み取りに適した低電力HJFET増幅器も実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 増幅器 ,  顆粒 ,  アモルファスシリコン ,  水素化 ,  トランジスタ ,  *基板 ,  *ヘテロ接合 ,  1/f雑音 ,  *ポリシリコン ,  *薄膜 ,  接合形FET
準シソーラス用語： *低電力化 ,  サブ閾値 ,  *シリコンウエハ ,  *HFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 安定性 ,  低電力 ,  増幅 ,  Si基板 ,  薄膜 ,  ヘテロ接合FET