Hekmatshoar Bahman について
IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA について
IEEE Electron Device Letters について
増幅器 について
顆粒 について
アモルファスシリコン について
水素化 について
トランジスタ について
基板 について
ヘテロ接合 について
1/f雑音 について
ポリシリコン について
薄膜 について
接合形FET について
低電力化 について
サブ閾値 について
シリコンウエハ について
HFET について
トランジスタ について
安定性 について
低電力 について
増幅 について
Si基板 について
薄膜 について
ヘテロ接合FET について