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J-GLOBAL ID：201802255590765981   整理番号：18A0405690

強誘電リラクサポリマ強化p型WSe_2トランジスタ【Powered by NICT】

A ferroelectric relaxor polymer-enhanced p-type WSe₂ transistor

著者 (15件)： Yin Chong (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, 38 Zhe Da Road, Hangzhou 310027, China) ,  Wang Xudong ,  Chen Yan ,  Li Dan ,  Lin Tie ,  Sun Shuo ,  Shen Hong ,  Du Piyi ,  Sun Jinglan ,  Meng Xiangjian ,  Chu Junhao ,  Wong Hon Fai ,  Leung Chi Wah ,  Wang Zongrong ,  Wang Jianlu
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 4  ページ： 1727-1734  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WSe_2は空気安定性と高い移動度のためにFETのための広範な注目を集めている。WSe_2のFermi準位はバンドギャップ,金属と高接触抵抗を生じさせ,それによって電界効果移動度を制限するのに近かった。この場合,高い仕事電圧は大きなオン/オフ比を達成するために必要である。ここで強誘電リラクサポリマP(VDF TrFE CFE)を用いて被覆の安定WSe_2p型ドーピング法を提案した。他のドーピング法とは異なり,P(VDF TrFE CFE)はWSe_2のFermi準位を変えることができるだけでなく,FETにおける高kゲート誘電体として作用することができる。六層WSe_2FETから27~170cm~2V~ 1s~ 1電界効果正孔移動度の劇的な増強が達成された。,トップゲート誘電体としてP(VDF TrFE CFE)を有する二層WSe_2に基づくFET素子を作製し,これは低いトップゲート電圧範囲で高いp型性能を示した。さらに,低温実験は,チャネルキャリア密度と移動度に及ぼすP(VDF TrFE CFE)の相転移の影響を明らかにした。温度が減少すると,電界効果正孔移動度は200Kで900cmまで~2V~ 1s~ 1を増加させ,アプローチP(VDF TrFE CFE)とp型ドーピングとゲーティングの組合せが2D半導体を用いた高速p-FETを得るための有望な解決策を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  移動度 ,  バンドギャップ ,  ゲート絶縁膜 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  Fermi準位 ,  ドーピング ,  相転移 ,  接触抵抗 ,  電場効果
準シソーラス用語： p型ドーピング ,  ゲート電圧 ,  正孔移動度 ,  電界効果移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 強化 ,  トランジスタ