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J-GLOBAL ID：201802255733579152   整理番号：18A1597027

「MOSFETにおけるソースとドレイン抵抗を別々に抽出するための高バイアス線形条件法」に関するコメント【JST・京大機械翻訳】

Comments on “Highly Biased Linear Condition Method for Separately Extracting Source and Drain Resistance in MOSFETs”

著者 (2件)： Ortiz-Conde Adelmo (Solid State Electronics Laboratory, Universidad Simo ́n Boli ́var, Caracas, Venezuela) ,  Garcia-Sanchez Francisco J. (Solid State Electronics Laboratory, Universidad Simo ́n Boli ́var, Caracas, Venezuela)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 9  ページ： 4019-4021  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,KimらはMOSFETにおけるソースとドレイン抵抗値を抽出する方法を提示した。著者らは,提案した方法が1994年に発行され,2年後に一般化された精液研究におけるOrtiz-Condeらによって既に提案された方法の特別な場合に対応する方法を説明し,上記の論文では引用されなかった。著者らは,ボディソース電圧に対するしきい値電圧依存性のKimの方法の欠如と,そのような議論が,最終的に有意な誤差に導く可能性があるという事実に注意を払った。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧依存性 ,  *バイアス ,  *線形性 ,  電圧 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： *ドレイン抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  ソース ,  ドレイン抵抗 ,  バイアス ,  線形 ,  コメント