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J-GLOBAL ID：201802255835309161   整理番号：18A1239865

反強磁性ホイスラー合金薄膜を用いた交換バイアス効果

Exchange bias using antiferromagnetic Heusler alloy films

著者 (11件)： 窪田崇秀 (東北大 金属材料研) ,  窪田崇秀 (東北大 スピントロニクス学術連携研究教セ) ,  土屋朋生 (東北大 金属材料研) ,  伊藤啓太 (東北大 金属材料研) ,  伊藤啓太 (東北大 スピントロニクス学術連携研究教セ) ,  杉山知子 (東北大 金属材料研) ,  竹田幸治 (日本原子力研究開発機構) ,  斎藤祐児 (日本原子力研究開発機構) ,  木村昭夫 (広島大) ,  高梨弘毅 (東北大 金属材料研) ,  高梨弘毅 (東北大 スピントロニクス学術連携研究教セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 74(MRIS2018 1-10)  ページ： 43-47  発行年： 2018年05月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ホイスラー合金はその組成に依存して強磁性,フェリ磁性,反強磁性の各種磁性を発現する材料である。本研究では,反強磁性体ホイスラー合金としてB2相のNi₂MnAlとA2相のMn₂VAlに着目し,Feとのエピタキシャル積層膜を用いた交換バイアス効果に関する実験に取り組んだ。B2-Ni₂MnAl/Fe積層膜については,試料の熱処理温度を最適化することで交換バイアス効果が消失する温度,ブロッキング温度を向上できることを示した。また,A2-Mn₂VAl/Fe積層膜については,低温10Kにおいて120Oeの交換バイアス効果を得た。更にMn₂VAlを用いた試料について,軟X線磁気円二色性(XMCD)スペクトルを交換バイアス効果が得られる試料と,異なる成膜温度で作製した交換バイアス効果が得られない試料とで比較したところ,スペクトル形状に差異があり,交換バイアス効果発現にともないMnサイトの電子状態が変化していることを示唆する結果を得た。(著者抄録)

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  *反強磁性体 ,  磁性薄膜 ,  *スピントロニクス ,  軟X線 ,  磁気円二色性 ,  ニッケル合金 ,  マンガン合金 ,  アルミニウム合金 ,  バナジウム合金 ,  エピタクシー ,  多層膜 ,  熱処理条件 ,  温度 ,  ブロッキング ,  電子状態 ,  結晶構造
準シソーラス用語： X線磁気円二色性 ,  交換バイアス ,  積層膜

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (25件)：

• 石田尚治,藤井伸平,水谷聡,浅野攝郎,′′電子論からみたホイスラー化合物の特徴′′,まてりあ,vol.44,pp.630-634,2005.
• C. Felser, G. H. Fecher, and B Balke, ′′Spintronics: A Challenge for Materials Science and Solid-State Chemistry′′, Angew. Chem. Int. Ed., vol. 46, pp. 668 - 699, 2007.
• T. Tsuchiya, T. Kubota, T. Sugiyama, T. Huminiuc, A. Hirohata, and K. Takanashi, ′′Exchange bias effects in Heusler alloy Ni₂MnAl/Fe bilayers′′, J. Phys. D: Appl. Phys., vol.49, pp. 235001-1 - 5, 2016.
• T. Tsuchiya, R. Kobayashi, T. Kubota, K. Saito, K. Ono, T. Ohhara, A. Nakao, and K. Takanashi, ′′Mn₂VAl Heusler alloy thin films: appearance of antiferromagnetis and exhange bias in a layered structure with Fe′′, J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 51, pp. 065001-1 - 7, 2018.
• A. Hirohata, T Huminiuc, J. Sinclair, H. Wu, M. Samiepou, G. Vallejo-Fernandez, K. O'Grady, J. Balluf, M. Meinert, G. Reiss, E. Simon, S. Khmelevskyi, L. Szunyogh, R. Yanes Diaz, U. Nowak, T. Tsuchiya, T. Sugiyama, T. Kubota, K. Takanashi, N. Inami, and K. Ono, ′′Development of antiferromagnetic Heusler alloys for the replacement of iridium as a critically raw material′′, J. Phys. D: Appl. Phys. vol. 50, pp. 443001-1 - 14, 2017.

タイトルに関連する用語 (4件)： 反強磁性 ,  ホイスラー ,  合金薄膜 ,  交換バイアス