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J-GLOBAL ID：201802255953636825   整理番号：18A1255121

水素プラズマに基づくエッジ終端を有する高性能垂直GaN-on-GaN p-n電力ダイオード【JST・京大機械翻訳】

High Performance Vertical GaN-on-GaN p-n Power Diodes With Hydrogen-Plasma-Based Edge Termination

著者 (8件)： Fu Houqiang (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Fu Kai (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Huang Xuanqi (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Chen Hong (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Baranowski Izak (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Yang Tsung-Han (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Montes Jossue (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Zhao Yuji (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 7  ページ： 1018-1021  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,有機金属化学蒸着を用いてバルクGaN基板上に成長させた垂直GaN p-nパワーダイオードにおける水素プラズマに基づくエッジ終端技術(hPET)の初めての実装について報告した。9μm厚のドリフト層を有する素子は,1.57kVの高い絶縁破壊電圧(V_bd),0.45mΩ2(電流拡散を伴う)の低いON抵抗(R_ON)と,GaNの理論的限界に近い不動態化または磁場プレートなしで5.5GW/cm2(または3.6GW/cm2)の高いBaiga性能指数(V_2_bd/R_ON)を示した。この技術により,漏れ電流(-300Vで~10~6倍)の著しい減少とV_bd(~300Vから1.57kVまで)の大きな増強が可能になった。さらに,素子は,3.5Vのターンオン電圧,約2kA/cm2(または1.3kA/cm2)のON電流,約10~9のオン/オフ比,および1.4の理想因子を有する良好な順方向特性を示した。本研究は,hPETが,高電圧および高出力GaN p-nパワーダイオードのための効果的で,低コストで,容易に実装できるエッジ終端技術として役立つことを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 性能指数 ,  *窒化ガリウム ,  ドリフト ,  漏れ電流 ,  不動態化 ,  電流 ,  MOCVD ,  磁場 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 高出力 ,  理想因子 ,  ターンオン電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  *電力ダイオード ,  *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素プラズマ ,  エッジ ,  終端 ,  高性能 ,  垂直 ,  GaN ,  電力ダイオード