文献

J-GLOBAL ID：201802256039094873   整理番号：18A0968710

Cr_2O_3薄膜中のCr_3+とO_2-の特定イオン位置の決定とCo/Cr_2O_3界面での交換異方性との関係【JST・京大機械翻訳】

Determination of specific ion positions of Cr³⁺ and O^2- in Cr₂O₃ thin films and their relationship to exchange anisotropy at Co/Cr₂O₃ interfaces

著者 (8件)： Shiratsuchi Yu (Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 5650871, Japan) ,  Nakano Yuuta (Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 5650871, Japan) ,  Inami Nobuhito (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 3050801, Japan) ,  Ueno Tetsuro (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 3050801, Japan) ,  Ono Kanta (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 3050801, Japan) ,  Kumai Reiji (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 3050801, Japan) ,  Sagayama Ryoko (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 3050801, Japan) ,  Nakatani Ryoichi (Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 5650871, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 10  ページ： 103903-103903-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直交換バイアスを有する反強磁性Cr_2O_3(0001)薄膜の構造を,反射高エネルギー電子回折,X線反射率,およびシンクロトロンX線回折を用いて研究した。コランダム構造におけるCr3+とO2-の特定イオン位置を主に調べ,Cr2O3の磁気異方性との関係を議論した。Pt(111)バッファ層上に成長させたCr_2O_3(0001)薄膜は0.42mJ/m2の垂直交換異方性密度を示し,Cr3+位置は双極子相互作用による磁気異方性の増強における主要因子であった。対照的に,α-Al_2O_3(0001)基板上に成長させた単結晶Cr_2O_3(0001)膜は,0.098mJ/m2の低い交換磁気異方性を特徴とした。この膜において,Cr3+位置パラメータは重要でない因子であり,低い磁気異方性をもたらす。O2-イオン位置も2つのタイプの膜の間で異なり,それは微細構造から生じる磁気異方性エネルギーとCr_2O_3の磁気電気的性質の両方に影響を及ぼすことができる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  *界面 ,  RHEED ,  *薄膜 ,  磁気 ,  電気的性質 ,  反強磁性 ,  バッファ層 ,  双極子相互作用 ,  酸化クロム ,  磁気異方性 ,  単結晶
準シソーラス用語： 異方性エネルギー ,  交換バイアス ,  *交換異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  イオン ,  CO ,  界面 ,  交換異方性