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J-GLOBAL ID：201802256224177209   整理番号：18A1622440

トンネルトランジスタRF性能に及ぼすゲート酸化物欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Gate Oxide Defects on Tunnel Transistor RF Performance

著者 (6件)： Hellenbrand M. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden) ,  Memisevic E. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden) ,  Svensson J. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden) ,  Krishnaraja A. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden) ,  Lind E. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden) ,  Wernersson L.-E. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は低オフ状態漏れと低駆動電圧のために設計されている。TFETsがRF動作であるかどうかを調べるために,それらの散乱パラメータを測定し,小信号モデリングを行った。低周波数領域において,ゲート酸化物欠陥がこれらの素子のRF性能に大きな影響を及ぼすことを見出した。これは周波数依存ゲート-ドレインコンダクタンスg_gd,ωによりモデル化できる。このモデルは,ゲート酸化物欠陥における電荷捕獲に基づいており,金属-酸化物-半導体キャパシタの前に研究された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化物 ,  半導体 ,  モデリング ,  周波数依存性 ,  コンデンサ ,  周波数領域
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  信号モデリング ,  Sパラメータ ,  駆動電圧 ,  オフ状態 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  *ゲート酸化膜 ,  *トンネルトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： トンネルトランジスタ ,  RF ,  ゲート酸化物 ,  欠陥