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J-GLOBAL ID：201802256365147743   整理番号：18A0189772

原子的に薄い材料に基づいた高周波デバイス【Powered by NICT】

High-frequency devices based on atomically thin materials

著者 (4件)： Dragoman Mircea (National Institute for Research and Development in Microtechnology (IMT), 077190 Bucharest-Voluntari Romania) ,  Dinescu Adrian (National Institute for Research and Development in Microtechnology (IMT), 077190 Bucharest-Voluntari Romania) ,  Aldrigo Martino (National Institute for Research and Development in Microtechnology (IMT), 077190 Bucharest-Voluntari Romania) ,  Dragoman Daniela (Univ. Bucharest, 077125 Bucharest-Magurele, Romania)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMWS-AMP  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,2D材料に基づいた高周波デバイスに専念した。最初に,これらの材料の物理的性質を簡単に高周波応用のためのレビューし,焦点を当てた。2D材料は原子的に薄い材料であり,それらをベースにしたデバイスは非常にそれらのバルク半導体対応物のものとしばしば異なるそれらの物理的性質を反映しなければならない。,高周波デバイスはバルク半導体に基づく電子素子の構造を模倣するのは容易ではない。この点では,THz領域におけるカットオフ周波数を持つバリスティック輸送領域で作動するグラフェンに基づく電界効果トランジスタ(FET)を示した。,ナノパターン化グラフェンチャンネルで作動するこのようなFETで得られた異常な移動度とオン/オフ比,バンドギャップがグラフェン中に誘起されを明らかにするであろう。グラフェンに基づく多くの他の高周波デバイスはアンテナと整流器のような言及簡単であろう。MoS2は非常に興味深いマイクロ波特性を持つ例えばマイクロ波とマイクロ波に非常に重要な用途を持つ可逆的金属-絶縁体転移(MIT)を示す調整可能な原子的に薄い材料である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  移動度 ,  半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  アンテナ ,  グラフェン ,  整流器 ,  二次元 ,  バリスティック輸送 ,  遮断周波数 ,  *HF【周波数】 ,  マイクロ波
準シソーラス用語： マイクロ波特性 ,  二硫化モリブデン ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子 ,  高周波