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J-GLOBAL ID:201802256511215267   整理番号:18A0471786

(Ag,Cu)(In,Ga)Se_2太陽電池における透明裏面接触としての水素ドープIn_2O_3膜を用いた【Powered by NICT】

Using hydrogen-doped In2O3 films as a transparent back contact in (Ag,Cu)(In,Ga)Se2 solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 159-170  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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(Ag_y,Cu_1y)(In_1x,Ga_x)Se_2太陽電池の透明背面コンタクト材料として水素をドープしたIn_2O_3(IOH)の可能性を評価した。Naの存在は(Ag_y,Cu_1y)(In_1x,Ga_x)Se_2成長中の背面接触でGa_2O_3の生成を促進することが分かった。過剰Ga_2O_3形成はGa枯渇,吸収層に深く広がりが得られた。,有益な裏面電界が除去されると有害な逆転電場を確立した。しかし,より穏やかなGa_2O_3量(還元Na供給で得られた)では,裏面電界を保存することができる。対応する太陽電池の特性化はオーミック裏面接触の存在を示唆し,550°Cの吸収体堆積温度でもIOH背面接触をもつ最良の太陽電池は,74%のフィルファクタと16.1%(反射防止膜なし)の効率(η)を示した。結果はGa_2O_3は必ずしも調べた系における輸送障壁として作用しないことを示した。Mo背面接触をもつ参照試料と比べて,開路電圧(V_OC)で観測された損失は,吸収体層における低Na濃度に起因している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 

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