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J-GLOBAL ID：201802256684256674   整理番号：18A0239875

パターン化Au基板上の成長したままのCu_2O薄膜の電着のHall移動度【Powered by NICT】

Hall Mobility of As-Grown Cu₂O Thin Films Obtained Via Electrodeposition on Patterned Au Substrates

著者 (6件)： Aggarwal Garima (Department of Energy Science and Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Das Chandan (Department of Energy Science and Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Agarwal Sumanshu (Department of Energy Science and Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Maurya Sandeep K. (Department of Energy Science and Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Nair Pradeep R. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Balasubramaniam K.R. (Department of Energy Science and Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201700312  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着Cu_2O膜のHall測定は,導電性基板上に半導体の二層構造測定を不要として困難である。ここでは,電着Cu_2OのHall測定のためのライン/スペース構造をしたガラス基板上にパターン形成したAuの使用を提案した。連続,(111)配向Cu_2O膜をガラス基板上に8μm/2μm Au line/space上に電着したとH all測定を行った。パターン形成した基板上にCu_2O膜の室温H all測定は,正孔濃度2.2×10~17cm~ 3および4.7×10~ 3cm~2V~ 1秒~ 1の移動度を持つp型伝導を示した。,温度依存抵抗率は半導体の特徴である負の勾配を示した。,測定された電気的特性は導電性基板よりもむしろ電着Cu_2O半導体膜に帰することができる。この方法は導電性基板のライン/スペース形状を最適化することにより,他の電着半導体のHall測定に適用することができる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化第一銅 ,  *金 ,  半導体 ,  *Hall移動度 ,  電気抵抗率 ,  *パターン形成 ,  形態 ,  温度依存性 ,  *薄膜 ,  最適化 ,  *電着 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 正孔濃度 ,  ガラス基板 ,  二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化第一銅 ,  電着 ,  H all測定 ,  リソグラフィー ,  基板のパターニング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： パターン化 ,  Au基 ,  成長 ,  薄膜 ,  電着 ,  Hall移動度