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J-GLOBAL ID:201802257017296696   整理番号:18A0573075

効率的電極触媒水素発生反応に対するVS_2ナノシートにおける相乗的層間と欠陥工学【Powered by NICT】

Synergistic Interlayer and Defect Engineering in VS2 Nanosheets toward Efficient Electrocatalytic Hydrogen Evolution Reaction
著者 (10件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: ROMBUNNO.201703098  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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1.00nmを豊富な欠陥と膨張(001)中間層間隔を特徴とするVS_2ナノシートを合成することが報告されている簡単なワンポットソルボサーマル法は,元の対応物のそれ(0.575 nm)に関連するとして約74%拡大である。層間膨張VS_2ナノシートは電気触媒水素発生反応(HER)のための異常な速度論的計量を示し,10mA cm~ 2の幾何学的電流密度,小さいTafel勾配が36mV dec~ 1の,電流減衰無しに60時間の長期安定性で43mVの低過電圧を示した。性能は正常な層間隔を持つ初期VS_2のそれより遥かに良好であり,市販のPt/C電極触媒のそれに匹敵する。優れた電極触媒活性は拡大した層間距離と発生した豊富な欠陥に起因する。露出した活性部位と修正された電子構造の数の増加が達成され,密度汎関数理論計算からの水素吸着(ΔG_H)の最適自由エネルギーをもたらした。本研究では,中間層と欠陥工学による高活性なHER電極触媒としての遷移金属二カルコゲン化物ナノシートを開発するための新たな扉を開く。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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塩基,金属酸化物  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
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