文献

J-GLOBAL ID：201802257164683203   整理番号：18A1516318

高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した高性能透明Liドープインジウム-スズ-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-performance transparent Li-doped indium-tin-zinc-oxide thin film transistor fabricated by radio frequency magnetron sputtering method

著者 (7件)： Li Ran (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Dai Shiqian (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Ma Yaobin (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Tian Longjie (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Wang Qi (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Zhou Dongzhan (China Building Materials Academy, Beijing 100024, China) ,  Zhang Xiqing (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 230  ページ： 132-134  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Liドープ酸化インジウムスズ亜鉛(ITZnO:Li)薄膜トランジスタを調べた。ITZnO:Li活性チャネル層を,室温での無線周波数マグネトロンスパッタリングによりSiO_2/Si基板上に蒸着した。X線回折パターンにより確認されたように,活性チャネル層の微細構造は非晶質である。膜の透過率は可視領域(400~700nm)で80%以上であり,優れた光透過性を示した。325°Cでアニールした膜のバンドギャップエネルギーは吸収スペクトルから約3.71eVであった。LiドープITZOを用いて作製したTFTは,アンドープITZO TFTのそれと比較して,より少ない酸素空格子点と増強された移動度を有することを実証した。得られたTFTは,0.4Vのしきい値電圧,39.1cm~2V~-1s-1の飽和移動度,および8.0×10~6のオン/オフ電流比をもつ増強モードで動作した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  吸収スペクトル ,  移動度 ,  *薄膜 ,  *ドーピング ,  基板 ,  非晶質 ,  透過率 ,  *薄膜トランジスタ ,  *マグネトロンスパッタリング ,  電流 ,  *スパッタリング
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  酸素空格子点 ,  可視領域 ,  無線周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アモルファス材料 ,  Liドープインジウム亜鉛スズ酸化物 ,  薄膜 ,  薄膜トランジスタ ,  スパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  高性能 ,  Li ,  ドープ ,  インジウム ,  スズ ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ