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J-GLOBAL ID：201802257165625185   整理番号：18A1028396

p型a-Si:H正孔接触を持つ単結晶CdTe/MgCdTeダブルヘテロ構造太陽電池の高内蔵ポテンシャルとV_OC【JST・京大機械翻訳】

High built-in potential and V_oc of monocrystalline CdTe/MgCdTe double-heterostructure solar cells with p-type a-Si:H hole-contacts

著者 (9件)： Zhao Yuan (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Boccard Mathieu (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Becker Jacob (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Zhao Xin-Hao (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Campbell Calli M. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Suarez Ernesto (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Lassise Maxwell B. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Holman Zachary (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Zhang Yong-Hang (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶n型CdTe/MgCdTe二重ヘテロ構造における高準Fermi準位分裂を,p型a-Si:H接触を用いて効果的に抽出し,1V以上のV_ocを達成した。V_ocが約1Vの高効率単結晶CdTeを示し,容量-電圧測定を用いて,p型a-Si:Hと1.1Vのn-CdTe間の内蔵電圧を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *太陽電池 ,  *単結晶 ,  *正孔 ,  電圧測定 ,  *テルル化カドミウム
準シソーラス用語： 高効率 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  正孔 ,  単結晶 ,  CdTe ,  ヘテロ構造 ,  太陽電池 ,  ポテンシャル